第一一一八章 浸没式光刻系统遇到难题（2 / 2）

当时bsec研制的6英寸晶圆和800nm制程工艺的光刻机已经临近尾声。

“邓院长，研究院继续研发8英寸晶圆和500nm工艺的光刻机。”

“好的，董事长！”

“魏总，公司争取早日生产出一条具有自主知识产权的6英寸晶圆和800nm制程工艺的半导体生产线，到时，pgca率先订购一条。”

“好的，董事长！”

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“董事长，经过近2年的联合攻关，研究证实，我们用去离子水等手段，保持水的洁净度和温度，使其不起气泡，用去离子水作为曝光介质，虽然光源波长还是用原来的193nm，但通过去离子水的折射，能使进入光阻的波长明显缩小，使用浸没式技术突破193nm波长可行，我们如今遇到的最大难题是我们自己制造的光学镜头不能满足突破193nm波长光刻光学器件的技术要求。”

浸没式光刻技术联合攻关组组长陈伟长院士给孙健汇报浸没式光刻技术的最新进展，总经理魏建国、院长邓国辉院士、副院长欧阳民院士、联合攻关组副组长夏季常院士和光源研究所所长钱富强研究员也在场。