第203章 参观存储芯片制造过程（2 / 2）

“那就是将稀土加热分离出一氧化碳和硅，然后不断重复提纯获得超高纯度电子级硅，再熔化成液体凝固成单晶固体形式的特定状态。”

“第二步将硅切割成一定厚度薄片，通过研磨、化学刻蚀去除硅片表面瑕疵，然后再进行抛光、清洗获得光洁的成品硅片。”

“第三步是：去除硅片表面杂质和污染物，再将硅片置于800至1200摄氏度高温环境下，通过氧气或蒸气在其表面流动形成二氧化硅层，以保护硅片不受化学杂质影响、避免漏电流等。”

“氧化层厚度受硅片结构、设备压力温度等因素影响，根据氧化剂不同分为干法氧化和湿法氧化。”

“这些就是初期的原材料加工，其步骤多达数百次。”

范宏毅顿了顿继续说道：“硅片制造出来以后才到我们这里。”

“我们拿到硅片后，第一步就是在上面涂覆光刻胶。在氧化层上涂覆光刻胶，使其成为可印刷电路图案的“相纸”，光刻胶越薄越均匀，可印刷图形越精细。”

说到这里，范宏毅指着一旁的光刻机道：“第二步就是光刻：通过光刻机控制光线照射，使光线穿过包含电路图案的掩膜，将电路印制到涂有光刻胶的硅片上，印刷图案越精细，芯片容纳元件越多。”